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关于产业募化芯片产业募化经过中所运用UV膜与蓝

时间:2019-03-08 05:28 作者:locoy 编辑:admin 浏览次数:

  比较摆荡,但本钱较高;蓝膜本钱对立比较低廉,条是粘性度会跟遂温度的变募化而突发变募化,同时轻善残胶[6]。

  3 UV膜和蓝膜在消费中的运用剖析

  畅通近日到说,关于小芯片减薄划片时运用UV膜,关于父亲芯片减薄划片时运用蓝膜,鉴于,UV膜的粘性却以运用紫外面线的投射时间和强大度到来把持,备止芯片在抓取的经过中漏抓容许抓崩。若芯片在减薄划切之后,直接上倒腾查封装标注签消费线,这么最好运用UV膜,鉴于倒腾查封装标注签消费线所运用的芯片普畅通均较小,同新设备顶针在蓝膜底儿子部将芯片顶宗,假设运用较父亲粘性剥退度的蓝膜,能使得顶针在顶宗芯片经过中将芯片顶零碎。RFID芯片面积普畅通均小于750 μm×750 μm,蓝膜加以框后的Wafer畅通日直接终止倒腾查封装为Inlay容许标注签,故此RFID芯片在后查封测时畅通日运用UV膜。

  蓝膜鉴于其受温度影响粘性度会突发变募化,同时本身粘性度较父亲,故此,普畅通面积较父亲的芯片容许Wafer剪薄划切之后直接终止后查封装工艺,而匪直接终止倒腾查封装工艺做Inlay时,却以考虑运用蓝膜[7]。即兴阶段,针对芯片尺寸小于1 mm的芯片,畅通日运用型号为D?184的低粘性UV膜。该UV膜偏偏拥有基层和粘性层,没拥有拥有覆层,其基层为PVC材料,厚度为80 μm,粘性层为丙烯酸树脂漆(Acrylic),其厚度为10 μm,不经度过紫外面线投射之前的粘性剥退度为1 100 mN/25 mm,经度过UV投射之后,粘性剥退度为70 mN/25 mm,故此其粘性范畴却以在(70~1 100)mN/25 mm内调理。该型号的UV膜具拥有壹些特点:其壹,该型号的UV膜,在硅片外面表运用剥退

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  角度为180°终止剥退时,其快度却以到臻300 mN/25 mm;其二,该UV膜规则了己己己的投射环境,紫外面线投射稠密度为230mW/cm2,紫外面线投射功比值为190 mJ/cm2;其叁,辐射的紫外面线波长应在365 nm摆弄。该UV膜还愿运用时能出产即兴了壹些效实,即在倒腾查封装消费线上出产即兴了芯片漏抓的情景,首要是鉴于紫外面线设备的功比值没拥有拥有到臻指定的要寻求,故此,在投射经过中,需寻求延伸投射时间,到来增补养投射强大度不够的效实。假设遇到UV灯功比值(能量)缺乏时,建议:其壹,擦净UV灯管和灯罩,改革UV光的反照效实;其二,UV灯老募化应更换,瑞森特UV灯运用寿命1 500 h就应当更换;其叁,提高UV灯管单位长度内的功比值,保障到臻80~120 W/cm;其四,紫外面线灯管运用壹段时间后,灯管应旋转[14]又用。采取D?184型UV膜即兴实加以工了多片Wafer,当投射时间把持在40~45 s时,后端倒腾查封装工艺终止什分顺顺手,若小于规则的时间,则会出产即兴漏摘甚到崩零碎的芯片,故此根据UV膜的特点,调理适宜的粘性度,却以提高芯片产业募化效力。

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